文献

J-GLOBAL ID：201002236771882133   整理番号：10A0822927

核形成制限スイッチングモデルを用いた(NH₄)_0.39K_0.61NO₃膜における強誘電分極スイッチングの解析

Analysis of ferroelectric polarization switching in (NH₄)_0.39K_0.61NO₃ films using nucleation limited switching model

著者 (5件)： DABRA Navneet (Dep. of Applied Sciences, Applied Physics and Materials Sci. Lab., Baba Farid Coll. of Engineering and Technol. ...) ,  HUNDAL Jasbir S. (Dep. of Applied Sciences, Applied Physics and Materials Sci. Lab., Baba Farid Coll. of Engineering and Technol. ...) ,  NAUTIYAL A. (Dep. of Physics, Ferroelectric Materials and Devices Res. Lab., Indian Inst. of Technol. Roorkee, Roorkee 247667 ...) ,  SEKHAR K. C. (Dep. of Physics, Ferroelectric Materials and Devices Res. Lab., Indian Inst. of Technol. Roorkee, Roorkee 247667 ...) ,  NATH R. (Dep. of Physics, Ferroelectric Materials and Devices Res. Lab., Indian Inst. of Technol. Roorkee, Roorkee 247667 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 2  ページ： 024108  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分域成長制限過程を考慮した核形成制限スイッチング(NLS)モデルによりスプレー堆積した(NH₄)_0.39K_0.61NO₃(NKN)膜の過渡分域スイッチングを解析した。実験で測定したマクロな分域スイッチング曲線はNLSモデルで良くフィッティングでき,特性スイッチング時間はLorentz分布関数に従った。局所場の変化は分極反転がより検出できるパルス幅15Vで最小になることが分かった。自発分極P_s及び抗電場E_cはそれぞれ6.58μC/cm²及び4.10kV/cmであることが分かった。スイッチング及びP-E曲線からのP_s値は互いに良く一致した。NKN膜の電界放出走査電子顕微鏡及び原子間力顕微鏡像からNKNナノ粒子の形成が明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *アンモニウム化合物 ,  *カリウム化合物 ,  *硝酸塩 ,  置換型固溶体 ,  スプレー塗装 ,  *厚膜 ,  *分極反転 ,  インパルス応答 ,  曲線あてはめ ,  応答時間 ,  分布関数 ,  自発分極 ,  抗電場 ,  表面構造
準シソーラス用語： スプレーコーティング ,  表面モルホロジー

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 核形成 ,  制限 ,  スイッチング ,  モデル ,  強誘電分極 ,  解析