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J-GLOBAL ID：201002236888601496   整理番号：10A0686309

局所金属サイドゲートによるグラフェンアンビポーラ電界効果トランジスタ

Ambipolar graphene field effect transistors by local metal side gates

著者 (5件)： TIAN J. F. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  JAUREGUI L. A. (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  LOPEZ G. (Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  CAO H. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  CHEN Y. P. (Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 26  ページ： 263110  発行年： 2010年06月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所金属サイドゲートによって個々に制御するグラフェンアンビポーラ電界効果トランジスタを実証する。サイドゲート型電界効果のオン/オフ比はグローバルバックゲートに匹敵し,バックゲートと第二サイドゲート両方またはいずれか一方により大きな領域で同調することが可能である。また,サイドゲート型電界効果は,静電シミュレーションからの知見と一致し,バックゲートを接地するのと比較してバックゲートを電気的に浮遊させることで非常に強くなることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  薄膜トランジスタ ,  グラファイト ,  フローティングゲート ,  比率 ,  電場効果 ,  ゲート【半導体】 ,  グラフェン
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  *サイドゲート型電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： サイドゲート ,  電界効果トランジスタ