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J-GLOBAL ID:201002237083374619   整理番号:10A0658461

層状構造のレーザ短パルス加熱における研究

Study into laser short-pulse heating of a layered structure
著者 (1件):
資料名:
巻: 224  号:ページ: 1099-1111  発行年: 2010年 
JST資料番号: H0720A  ISSN: 0954-4062  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本文では,鉛-シリコン-金で構成した3層構造のレーザ短パルス加熱を検討した。まず,加熱プロセスの数学的解析を検討した。ついで,Seebeck係数のモデリングを検討した。ここでは,鉛および金層におけるSeebeck係数,シリコン(nタイプ半導体材料)におけるSeebeck係数を検討した。つづいて,数値計算法を検討した。ひきつづき,数値解析法の検証を行なった。最後に,鉛,シリコンおよび金のナノ層状サンドイッチ構造のレーザ短パルス加熱の試験を行ない,構造におけるSeebeck係数と同様に電子および格子サブシステムにおける温度分布を定式化して予測した。本研究の結果,第一層(鉛層)の厚さが温度上昇およびSeebeck係数に影響を及ぼすことがわかった。鉛およびシリコン層の界面を横切る格子サイト温度は急激に増加することがわかった。シリコン層において予測されたSeebeck係数は構造における金属層におけるよりも高いことがわかった。
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