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J-GLOBAL ID：201002237230455646   整理番号：10A0334097

多層炭素ナノチューブで充填したスルホン化ポリ(スチレン-b-(エチレン-co-ブチレン)-b-スチレン)/ポリ(4-スチレンスルホン酸)ブレンドの形態と性質

Morphology and Properties of Sulfonated Poly(styrene-b-(ethylene-co-butylene)-b-styrene)/Poly(4-styrene sulfonic acid) Blends Filled with Multiwalled Carbon Nanotubes

著者 (2件)： LEE Seon Suk (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  LEE Dai Soo (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 5  ページ： 3370-3374  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電防止被覆および電磁干渉(EMI)遮蔽用の材料を開発するために,スルホン化CNTの超成長中において(S-SEBS),ポリ(4-スチレンスルホン酸)(PSSA),そして多層炭素ナノチューブ(MWNT)をベースとしたナノ複合材料を調べた。S-SEBS,PPAそして修正MWNTから調製した複合材料は,SEBS,PSSAそしてMWNTをベースとしてナノ複合材料の場合よりも低い臨界MWNT含有量(P_c)でMWNTのろ過に起因する電気抵抗率の閾値減少を示した。S-SEBSブロック共重合体のマイクロ相分離はPSSAによってほとんど影響されなかった。PSブロックのガラス転移温度より上ではPSSAがS-SEBSにおけるスルホン化PSブロックの可塑剤となることを見出した。ナノ複合材料は2vol%のMWNTで10⁴Ω/□の表面抵抗率を示した。

シソーラス用語： 共重合体 ,  スルホン化 ,  *ポリスチレン ,  アルケン ,  *多層カーボンナノチューブ ,  *帯電防止剤 ,  *電磁遮蔽 ,  *ナノ複合材料 ,  電気抵抗率 ,  閾値 ,  *トリブロック共重合体 ,  *ポリマブレンド ,  形態 ,  *イオノマ
準シソーラス用語： ブチレン

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  高分子固体のその他の性質  (CG02025L)

物質索引 (2件)： エチレン ,  4-スチレンスルホン酸

タイトルに関連する用語 (11件)： 多層 ,  炭素ナノチューブ ,  スルホン化 ,  スチレン ,  エチレン ,  CO ,  ブチレン ,  4-スチレンスルホン酸 ,  ブレンド ,  形態 ,  性質