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J-GLOBAL ID：201002237262420682   整理番号：10A0177932

気相輸送化学蒸着により調製した窒化シリコン炭素膜の構造解析

Structural analysis of silicon carbon nitride films prepared by vapor transport-chemical vapor deposition

著者 (8件)： AWAD Y. (SiXtron Advanced Materials Inc., Sherbrooke, Quebec J1J 2E8, CAN) ,  EL KHAKANI M. A. (Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-EMT, Varennes, Quebec J3X 1S2, CAN) ,  SCARLETE M. (Bishop’s Univ., Lennoxville, Quebec J1M 1Z7, CAN) ,  AKTIK C. (Univ. de Sherbrooke, Sherbrooke, Quebec J1K 2R1, CAN) ,  SMIRANI R. (Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-EMT, Varennes, Quebec J3X 1S2, CAN) ,  CAMIRE N. (SiXtron Advanced Materials Inc., Sherbrooke, Quebec J1J 2E8, CAN) ,  LESSARD M. (SiXtron Advanced Materials Inc., Sherbrooke, Quebec J1J 2E8, CAN) ,  MOUINE J. (Univ. de Sherbrooke, Sherbrooke, Quebec J1K 2R1, CAN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 3  ページ： 033517  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質の窒化シリコン炭素(a-SiCN:H)膜を,気相輸送化学蒸着法により合成した。ポリ(ジメチルシラン)をSiとC両方の単一原料に使った。Arで希釈したNH₃ガスを窒素原料に使った。Fourier変換赤外分光法(FTIR)とX線光電子分光法(XPS)により,NH₃/Ar比に関する組成と結合状態を一意に評価した。スペクトルデコンボリューションを使って,FTIR及びXPSスペクトルの各成分を抽出した。例えば,FTIRスペクトルは,NH₃/Ar比を大きくすると,Si-N,C-N,C=N,C≡N,及びN-Hを含む結合がさらに形成されることに伴ってSi-C振動強度が強く低下することを示す。さらに,XPSスペクトルは,Si-C,Si-N,C-N,C=N,及びC=Cなど様々な化学結合がa-SiCN:H膜に存在することを示す。FTIRとXPS両方のデータから,非晶質マトリックス中の化学結合は,単一のSi-C,Si-N,あるいはSi-H結合の集団よりもっと複雑であることが実証された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  *炭素化合物 ,  窒化物 ,  *化学蒸着 ,  蒸着膜 ,  非晶質 ,  *FTIR分光法 ,  *X線光電子分光法 ,  アンモニア ,  ポリシラン重合体 ,  デコンボリューション ,  *化学結合 ,  構造解析
準シソーラス用語： ポリジメチルシラン

分類 (3件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 気相 ,  輸送 ,  化学蒸着 ,  調製 ,  窒化シリコン ,  炭素膜 ,  構造解析