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J-GLOBAL ID：201002237272607535   整理番号：10A0053875

MgO被覆層による二次電子収率増強

Secondary electron yield enhancement by MgO capping layers

著者 (8件)： ALTIERI S. (CNR-INFM National Center on Nanostructures and Biosystems at Surfaces (S3), via G. Campi 213/a, 41100 Modena, ITA) ,  FINAZZI M. (LNESS - Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Piazza Leonardo da Vinci 32, 20133 Milano, ITA) ,  HSIEH H.h. (Chung Cheng Inst. of Technol., National Defense Univ., Taiwan 335, Taiwan) ,  LIN H.-j. (National Synchrotron Radiation Res. Center, 101 Hsin-Ann Road, Hsinchu 30077, Taiwan) ,  CHEN C.t. (National Synchrotron Radiation Res. Center, 101 Hsin-Ann Road, Hsinchu 30077, Taiwan) ,  VALERI S. (CNR-INFM National Center on Nanostructures and Biosystems at Surfaces (S3), via G. Campi 213/a, 41100 Modena, ITA) ,  VALERI S. (Dep. of Physics, Univ. of Modena and Reggio Emilia, via G. Campi 213/a, 41100 Modena, ITA) ,  TJENG L.h. (II. Physikalisches Inst., Universitaet zu Koeln, Zuelpicher Strasse 77, 50937 Koeln, DEU)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 604  号： 2  ページ： 181-185  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni L_2,3吸収端の軟X線線形分極シンクロトロン放射によって励起したエピタキシャル3単一層(3ML)NiO(100)/Ag(100)膜から放出される二次電子の収率を種々の値のMgO(100)被覆層の厚さについて測定した。被覆8ML MgO(100)/3ML NiO(100)/Ag(100)試料では未被覆の3ML NiO(100)/Ag(100)膜と比較して約1.2倍の二次的電子放出の顕著な増強を観測した。さらに8MLのMgO(100)膜を析出させて全被覆層の厚さを16MLとした後,非被覆NiO試料に対して1.6倍のさらに大きな収率増強が観測された。観測した二次電子収率増強を改変電子構造,表面仕事関数変化および特性電子伝播長によって考察した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *二次電子放出 ,  *収率 ,  *酸化マグネシウム ,  保護膜 ,  酸化ニッケル ,  銀 ,  依存性 ,  単一層
準シソーラス用語： キャップ層 ,  厚さ依存性

分類 (3件)： Auger電子放出,二次電子放出  (BM09040O) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： MgO ,  被覆層 ,  二次電子 ,  収率 ,  増強