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J-GLOBAL ID：201002237681176791   整理番号：10A0884366

省電力の相変化メモリーとしてのGa₂Te₃相転移材料

Ga₂Te₃ phase change material for low-power phase change memory application

著者 (4件)： ZHU Hao (Dep. of Physics and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic ...) ,  YIN Jiang (Dep. of Materials Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  XIA Yidong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  LIU Zhiguo (Dep. of Materials Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 8  ページ： 083504  発行年： 2010年08月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga₂Sb₂Te₅と比べて結晶化温度が高い等の特長を有し,次世代不揮発性メモリーとして注目されるGa₂Te₃膜によるPRAMの相転移材料としての特性を研究した。Ga₂Te₃相転移メモリーデバイスは上部PtとSiウエハ上に形成された下部Pt膜の間にGa₂Te₃膜の層を挟み,下部Pt膜を保護するSiO₂膜には直径1μmの穴を開けた。高結晶化温度・広バンドギャップ・長保持時間等の特長を持つGa₂Te₃相変化材料は,相変化メモリーデバイスとして高速スイッチング・低消費電力・良好なデータ保持能力という特長を示した。更にGa₂Te₃相変化材料は将来の有望なPRAMとしての応用可能性を持つ。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  晶出温度 ,  *ガリウム化合物 ,  白金 ,  ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  保護膜 ,  スイッチング ,  *消費電力 ,  データ ,  *保持 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  結晶化温度 ,  *テルル化ガリウム ,  *低消費電力

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 省電力 ,  相変化メモリー ,  相転移材料