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J-GLOBAL ID：201002237774007671   整理番号：10A0926963

低残留電子密度の単結晶ZnO薄膜への道筋

A route to single-crystalline ZnO films with low residual electron concentration

著者 (9件)： LIU J.s. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  LIU J.s. (Graduate School of Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  SHAN C.x. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  WANG S.p. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  WANG S.p. (Graduate School of Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  SUN F. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  SUN F. (Graduate School of Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100049, CHN) ,  YAO B. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  SHEN D.z. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 20  ページ： 2861-2864  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶ZnO薄膜をa面サファイア上にプラズマアシスト分子線エピタクシーにおいて高温ZnOバッファ層を挿入することにより成長した。薄膜の残留電子濃度は,これまでに報告されている希少で高価な基板であるScAlMgO₄上に成長させたZnO薄膜での最良値と同等の,1.5×10¹⁶cm^-3まで低下可能であった。この道筋で成長させた薄膜についてA3×3再構成が観察された。これは薄膜が非常に滑らかな表面を有していることを示している。薄膜のX線φ走査スペクトルは60°間隔で6つのピークを示し,2次元X線回折データは薄膜の単結晶性を示している。薄膜の低温光ルミネセンススペクトルは卓越した自由励起子発光と5つのフォノンレプリカを示し,薄膜の高品質性を証明している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *単結晶 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *MBE成長 ,  *X線回折 ,  表面再構成 ,  光ルミネセンス ,  紫外発光スペクトル ,  結晶度 ,  表面性状 ,  原価低減 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *プラズマMBE

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 残留 ,  電子密度 ,  単結晶 ,  ZnO薄膜 ,  道筋