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J-GLOBAL ID：201002237895528733   整理番号：10A0309091

真空蒸着セレン化銀インジウム薄膜の光学特性に及ぼすHe⁺照射の影響

Effect of He⁺ irradiation on the optical properties of vacuum evaporated silver indium selenide thin films

著者 (2件)： SANTHOSH KUMAR M.c. (Advanced Materials Lab., Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Tiruchirappalli, Tamil Nadu 620 015, IND) ,  PRADEEP B. (Solid State Physics Lab., Dep. of Physics, Cochin Univ. of Sci. and Technol., Cochin, Kerala 682 022, IND)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 495  号： 1  ページ： 284-287  発行年： 2010年04月09日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶セレン化銀インジウム薄膜を,化学量論的組成の粉末を用い,ガラス基板の上に高温で真空蒸着させて作製した。これら試料に1.26MeVでHe⁺イオンを照射した。He⁺のフルエンスを変えて,試料の光学特性に及ぼす照射の影響を調査した。薄膜の特性はX線回折及びUV-vis-NIR分光法によって調査した。照射イオン密度の増加と共にセレン化銀インジウム薄膜のバンドギャップが1.17から0.82eVへ徐々に低減することを見出した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 真空蒸着 ,  *セレン化物 ,  *インジウム化合物 ,  *銀化合物 ,  半導体薄膜 ,  *イオン照射 ,  *光学的性質 ,  バンドギャップ ,  多結晶
準シソーラス用語： *セレン化銀インジウム ,  ヘリウムイオン

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 真空蒸着 ,  セレン化銀 ,  インジウム ,  薄膜 ,  光学特性