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J-GLOBAL ID：201002237914471284   整理番号：10A0626972

ナローバンドギャップ太陽電池のためのCu-In-Teベース薄膜の低温成長および特性

Low temperature growth and properties of Cu-In-Te based thin films for narrow bandgap solar cells

著者 (2件)： MISE Takahiro (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa ...) ,  NAKADA Tokio (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 19  ページ： 5604-5609  発行年： 2010年07月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu-In-Teベース薄膜をソーダ石灰ガラス(SLG)基板上に200°Cで分子線エピタキシー装置により成長させた。ミクロ構造特性を走査電子顕微鏡,X線回折およびRaman散乱により調べた。Cu-In-Teベース薄膜の結晶品質は高いCu/In比の方が低いCu/In比の膜よりも優れていた。0.69±0.04のCu/In比の膜はランダム方位の単一黄銅鉱相を示し,一方,0.26±0.02のCu/In比の薄膜は優先(112)方位を有する欠陥黄銅鉱相を示した。しかしながら0.69±0.04のCu/In比の膜はほとんど一定の低抵抗率(~10^-2Ωcm)を80から400Kで示し,これは高い正孔濃度(>10¹⁹cm^-3)によるものであり,結果として半金属的挙動を示している。膜の半導体特性を有する正孔伝導機構(Cu/In原子比=0.26±0.02)は80-300Kの温度範囲でMott型の可変領域ホッピングであることが分かった。Cu-In-Teベース薄膜の光学バンドギャップは透過および反射測定から300Kで0.93-1.02eVであると決定された。ZnO/CdS/CuIn₃Te₅/Mo/SLG構造を有する太陽電池は,光浸漬後,AM1.5照射(100mW/cm²)のもとで5.1%の全面積(0.50cm²)効率を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  銅化合物 ,  インジウム化合物 ,  テルル化物 ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル ,  *光学ギャップ ,  赤外吸収スペクトル ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  黄銅鉱型結晶 ,  キャリア密度 ,  X線光電子スペクトル ,  Mott転移 ,  *光電変換効率 ,  低温成長 ,  *薄膜太陽電池
準シソーラス用語： *テルル化インジウム銅 ,  可変領域ホッピング

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  Cu ,  Te ,  薄膜 ,  低温成長