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J-GLOBAL ID：201002238043763392   整理番号：10A0374964

HVPEによる一次元単結晶AlNナノワイヤの成長およびそれらの電界放出特性

The Growth of One-Dimensional Single-Crystalline AlN Nanostructures by HVPE and Their Field Emission Properties

著者 (5件)： BYEUN Yun-Ki (RWTH Aachen, Aachen, DEU) ,  TELLE Rainer (RWTH Aachen, Aachen, DEU) ,  JUNG Se-Hyuk (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Sung-Churl (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG Hak-In (Korea Electronics Technol. Inst., Gyeonggi, KOR)
資料名： Chemical Vapor Deposition  (Chemical Vapor Deposition)
巻： 16  号： 1/3  ページ： 72-79  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W0908A  ISSN： 0948-1907  CODEN： CVDEFX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜,ナノニードル,ナノコラム,ナノワイヤなどの単結晶AlN構造を合成するために,ハライド蒸気相エピタキシー(HVPE)による方法を試みた。生成するAlNの形態は,ガス流量の制御などに依存することを示した。20nm以下の直径の配向したAlNのナノロッドが,触媒なしで気相/固相の反応によりSi基板上に成長することを示し,それをナノワイヤが成長する典型的な気相/液相/固相の場合と比較した。それらの構造的光学的特性を,X線回折,透過電子顕微鏡法,X線光電子回折法,フォトルミネッセンスにより調べ,また合成したAlNナノロッドが低電場の優れた電界放出特性を示すことを明らかにした。

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *ナノワイヤ ,  気相 ,  *エピタクシー ,  単結晶 ,  結晶構造 ,  光ルミネセンス ,  *電界放出

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： HVPE ,  単結晶 ,  AlN ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  電界放出