不揮発性メモリ素子に応用するためのSiO<sub>2</sub>中に埋込んだGeナノ結晶の電荷蓄積挙動

YANG M.; CHEN T. P.; WONG J. I.; LIU Y.; TSENG Ampere A.; FUNG S.

文献

J-GLOBAL ID：201002238161363633 整理番号：10A1158662

不揮発性メモリ素子に応用するためのSiO₂中に埋込んだGeナノ結晶の電荷蓄積挙動

Charge Storage Behaviors of Ge Nanocrystals Embedded in SiO₂ for the Application in Non-Volatile Memory Devices

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A1158662&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A1158662&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1351A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 10 号： 7 ページ： 4517-4521 発行年： 2010年07月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

不揮発性メモリの通常の浮遊ゲートを置換するものとしてGeナノ結晶が注目されている。MOS構造のSiO₂中に分布したGeナノ結晶を合成した。それらの電荷蓄積挙動は注入量とエネルギーに影響された。注入量とエネルギーの何れかを高めると,フラットバンド電圧のシフトが大きくなり,これを電荷捕獲部位の位置と濃度で説明した。注入量低減あるいは注入エネルギー上昇により電荷損失が小さくなり,これをゲート電極への電荷漏れと隣接するGeナノ結晶への横方向電荷損失の共存で説明した。

, , , , , , , , ,
, ,

半導体集積回路

, , , , , , , ,

前のページに戻る

不揮発性メモリ素子に応用するためのSiO2中に埋込んだGeナノ結晶の電荷蓄積挙動

不揮発性メモリ素子に応用するためのSiO₂中に埋込んだGeナノ結晶の電荷蓄積挙動