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J-GLOBAL ID：201002238165869752   整理番号：10A0124007

スピネル窒化物の光学特性を向上させるための有効なドーピングに関する第一原理研究

First-principles study on effective doping to improve the optical properties in spinel nitrides

著者 (4件)： WANG Hao (Dep. of Human and Engineering Environmental Studies, Graduate School of Frontier Sci., The Univ. of Tokyo ...) ,  CHEN Ying (Dep. of Quantum Engineering and Systems Sciences, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, Hongo 7-3-1, Bunkyo-ku ...) ,  KANETA Yasunori (Dep. of Quantum Engineering and Systems Sciences, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, Hongo 7-3-1, Bunkyo-ku ...) ,  IWATA Shuichi (Dep. of Human and Engineering Environmental Studies, Graduate School of Frontier Sci., The Univ. of Tokyo ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 491  号： 1-2  ページ： 550-559  発行年： 2010年02月18日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si₃N₄とGe₃N₄の高圧と高温スピネル相(γ)はワイドで直接的なバンドギャップのため注目を集めている。それらの誘導体であるスピネルSiGe₂N₄もその安定性と興味深い特性のため注目を集めている。しかし,この族の光学的性質はよく知られた半導体のそれと比較して十分なものではない。本研究の主目的はIVA族スピネル窒化物の光学的性質を向上させる可能性をランダムフェーズ近似(RPA)と組み合わせた第一原理計算により調べることである。本研究の中心はドーピングのシミュレーションによるサイト置換で誘電関数(ε₂)の虚数部のピーク値を高めることである。最大のバンド間遷移を特定するため,ε₂の詳細な分析に基づいてドーピング元素を選択する方法を提案した。異なる添加剤,異なるドーピングサイト,異なるドーピング濃度による種々のドーピング効果について,γ-SiGe₂N₄を例として調べ,異なる添加剤によるエネルギーバンドの再分布傾向を明らかにした。計算からγ-SiGe₂N₄の場合,スピネル構造の4面体配位した陽イオンサイトのSiをGaとAsで置換するとε₂のピーク値が著しく増加し,IVA族窒化物の光学的性質の向上に有効なアプローチであることを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 窒化物 ,  *ドーピング ,  第一原理 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  バンドギャップ ,  ランダム位相近似 ,  計算 ,  誘電関数 ,  電子遷移 ,  添加物効果 ,  再分布 ,  *ケイ素化合物 ,  *光学ギャップ
準シソーラス用語： RPA近似 ,  エネルギーバンド ,  バンド間遷移 ,  *第一原理計算

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： スピネル ,  窒化物 ,  光学特性 ,  ドーピング ,  第一原理 ,  研究