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J-GLOBAL ID:201002238218259153   整理番号:10A0904845

アモルファスシリカに束縛されたテルビウム錯体のフォトルミネセンス特性

Photoluminescence properties of terbium complexes bound to amorphous silica
著者 (3件):
資料名:
巻: 356  号: 35-36  ページ: 1854-1858  発行年: 2010年08月01日 
JST資料番号: D0642A  ISSN: 0022-3093  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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2つの異なる方法でSiO<sub>2</sub>内にテルビウムイオンを導入した:(1)2つのalcoxide構造,すなわち,3-(2-イミダゾリン-1-イル)-プロピル-トリエトキシシラン(IPTES)およびアミノプロピル-トリメトキシシラン(APTMS)を持つテルビウム・ユウロピウム錯体のグラフト化,(2)シリコン4-カルボキシルブチルトリエトキシド(CABES)によるSiO<sub>2</sub>支持体の官能基化とそれに続くテルビウムイオンの追加。-196°Cでの窒素吸着等温式,熱重量分析,粉末X線回折,Fourier変換赤外分光,拡散反射分光,定常状態と時間分解フォトルミネセンス分光によって,この新物質を調べた。テルビウム錯体はシリカ組織内に不均一に分布し,比較的強いルミネセンスと長い平均フォトルミネセンス寿命を示した。Tb-APTMS/SiO<sub>2</sub>とTb-IPTES/SiO<sub>2</sub>に比べると,Tb-CABES/SiO<sub>2</sub>におけるテルビウムの発光の非放射性不活性化はより効率的であり,このことは,平均フォトルミネセンス寿命の順序を反映している。すなわち,Tb-CABES/SiO<sub>2</sub>(675±10μs)<Tb-IPTES/SiO<sub>2</sub>(1040±20μs)<Tb-APTMS/SiO<sub>2</sub>(1265μs±25μs)である。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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錯体のルミネセンス 
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