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J-GLOBAL ID:201002238363019659   整理番号:10A0610775

ZnOナノロッドにおける意図しないnドーピングの証拠

Evidence of Unintentional n-Doping in ZnO Nanorods
著者 (6件):
資料名:
巻: 114  号: 20  ページ: 9498-9502  発行年: 2010年05月27日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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簡単な二段階水熱法により,ZnOナノロッド(平均粒径40~60nm,長さ約2μm)を合成し,X線回折等によるキャラクタリゼーションをおこなった。ナノロッドは良好な結晶性を示し,ウルツ鉱c軸に平行な軸配向を有した。束縛励起子と自由キャリア間の衝突プロセスに特長的な再結合線を認めた。良好な結晶性にもかかわらず,大きな比表面積のために,ナノロッドは周囲環境に高感度であった。ナノロッド表面近傍に位置した欠陥は,物性において重要な役割を果たした。シード層近傍による意図しないnドーピングの存在によってこのことを示した。
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分類 (1件):
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塩基,金属酸化物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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