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J-GLOBAL ID：201002238428148117   整理番号：10A1381530

半導体ナノ構造のヘテロエピタキシーにおける秩序および無秩序

Order and disorder in the heteroepitaxy of semiconductor nanostructures

著者 (2件)： RATTO Fulvio (Istituto di Fisica Applicata, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Via Madonna del Piano 10, Sesto Fiorentino ...) ,  ROSEI Federico (Inst. National de la Rech. Scientifique, Univ. du Quebec, 1650 Boul. Lionel Boulet, J3X 1S2, Varennes (QC) Canada)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： 70  号： 3-6  ページ： 243-264  発行年： 2010年11月22日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小さな格子不整合をもつ半導体対のヘテロエピタキシーは材料科学および技術において大きな興味のある過程である。これらの界面における歪み解放の主な機構は,裸の基板上に直接に(Volmer-Weber成長モード)あるいは初期の平らな濡れ層の形成に続いて(StranskiはいKrastanov成長モード)3次元島が形成されることである。これらの3次元島に付随する元素および歪みの不均一は,標準的量子井戸の場合のようにに,電子および(あるいは)正孔に対する閉じ込めポテンシャルを生じさせうる。標準的量子井戸と矛盾して,これらのナノ構造における閉じ込め(しばしば’量子ドット’と呼ばれる(QD))は三つのすべての次元で,そして関連するDe Bloglie波長と同等の長さ尺度にわたって起こる。この強い閉じ込めは,人工原子の場合のように,電荷キャリアーエネルギー準位の離散的スペクトルを生じさせうる。他方,これらのナノ構造のスペクトルはそれらの物理的および化学的性質により調整でき,新しい光学的および電子的構成要素を設計できる機会を与える。多様な革新的応用の構成単位としてエピタキシャルナノ構造を提案する。これらのナノ構造はフォトニクスおよびエレクトロニクスの分野における新しい課題へのステップ変化の解決を表わしているかもしれない。これらの性質を利用して,これらの機能性を実現するためには,個々のQDを作製できるだけでは十分ではないかもしれない。むしろ,次の重大な問題は,表面上でそして3次元構造において互いにそしてそれらの環境に対してナノ構造の位置を制御することである。ナノ構造密度,相互作用,そして外部回路とのインターフェースを操作するためにこれらの問題の探究は必須である。ナノ構造の位置決定のある程度の制御を得るための豊富な多様な自然な(ボトムアップ,並列的)そして人工的(トップダウンとボトムアップの統合,逐次的および(あるいは)並列的)方法が報告されてきた。本総説は最近数年間に開発された最も関連のある概念のいくつかを強調することを目的としている。個々のナノ構造の合成と特性評価の異なる側面に関するかなりの数の総説が文献に見出されるが,上述した問題の複雑さは現在まで専門的な枠組内では扱われて来なかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体 ,  *ナノ構造 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *三次元 ,  島状構造 ,  格子不整合 ,  格子歪 ,  緩和現象 ,  量子井戸 ,  *規則化 ,  化学合成 ,  量子閉込め ,  *レビュー
準シソーラス用語： 歪緩和

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体ナノ構造 ,  ヘテロエピタキシー ,  無秩序