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J-GLOBAL ID：201002238527471892   整理番号：10A0320038

アノード界面層検出の帰結 P3HT:PCBMベースのバルクヘテロ接合有機光起電力デバイスにおけるHCl処理ITO

Consequences of Anode Interfacial Layer Deletion. HCl-Treated ITO in P3HT:PCBM-Based Bulk-Heterojunction Organic Photovoltaic Devices

著者 (8件)： IRWIN Michael D. (Northwestern Univ., Illinois) ,  LIU Jun (Northwestern Univ., Illinois) ,  LEEVER Benjamin J. (Northwestern Univ., Illinois) ,  LEEVER Benjamin J. (Air Force Res. Lab., Ohio) ,  SERVAITES Jonathan D. (Northwestern Univ., Illinois) ,  HERSAM Mark C. (Northwestern Univ., Illinois) ,  DURSTOCK Michael F. (Air Force Res. Lab., Ohio) ,  MARKS Tobin J. (Northwestern Univ., Illinois)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 26  号： 4  ページ： 2584-2591  発行年： 2010年02月16日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ITO膜の表面に及ぼす水性HCl処理の効果,並びに構造ガラス/ITOl/P3HT:PCBM/LiF/AlをもつBHJOPVの性能に対するその意味合いを研究した。最適化HCl+UVO処理の下で,ITO表面化学はSn:In及びO:In比の低下,大きな表面組成的及び荷電表面的均一性を示し,したがって制御デバイスに対して光対パワー転換比が大幅にアップする。その増強効果のオリジンを理解するために,ITO表面を紫外光電子スペクトル仕事関数測定,X線光電子スペクトル組成解析,原子間力顕微鏡トポグラフィー及び電気伝導イメージングにより解析した。

シソーラス用語： *光起電素子 ,  処理 ,  境界層 ,  *ヘテロ接合 ,  *ガラス ,  酸化インジウムスズ ,  紫外光電子スペクトル ,  X線光電子スペクトル ,  仕事関数 ,  原子間力顕微鏡 ,  トポグラフィー【形態】 ,  電気伝導率 ,  *光電子スペクトル
準シソーラス用語： *ITOガラス ,  塩酸処理 ,  界面層 ,  表面トポグラフィー

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (8件)： アノード ,  界面層 ,  P3HT ,  PCBM ,  バルクヘテロ接合 ,  光起電力デバイス ,  HCl ,  ITO