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J-GLOBAL ID：201002238567891347   整理番号：10A1041487

共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性に及ぼすスペーサ層の影響

Effect of Spacer Layers on Current-Voltage Characteristics of Resonant-Tunneling Diode

著者 (3件)： REMNEV M.A. (National Res. Nuclear Univ., Moscow, RUS) ,  KATEEV I.Yu. (National Res. Nuclear Univ., Moscow, RUS) ,  ELESIN V.F. (National Res. Nuclear Univ., Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 8  ページ： 1034-1039  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共鳴トンネルダイオード(RTD)はナノエレクトロニクスの有望な素子である。過去十年間,RTDは積極的に研究され,様々な素子がこれをベースに開発されている。本論では,一貫した量子力学法を用いて共鳴トンネルダイオードの電流電圧(I-V)特性に及ぼすスペーサ層の影響を研究した。その第一段階として,電子-電子相互作用を無視して,様々なエミッタスペースサイズで一次元モデル内においてRTD I-V特性を計算した。数値解法をSchroedinger方程式に用いて,エミッタスペーササイズへのピーク電流の依存性が周期的であることを実証した。

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,  *電流電圧特性 ,  *スペーサ ,  *層 ,  電子技術 ,  量子論 ,  エミッタ【半導体】 ,  一次元 ,  数値解法 ,  Schroedinger方程式 ,  電流 ,  周期変化
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  電子-電子相互作用

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 共鳴トンネルダイオード ,  電流電圧特性 ,  スペーサ層