文献

J-GLOBAL ID：201002238608602100   整理番号：10A0358486

液晶高分子半導体に基づくp型高分子電子回路のインクジェット印刷

Ink-jet printed p-type polymer electronics based on liquid-crystalline polymer semiconductors

著者 (8件)： BAKLAR Mohammed (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  WOEBKENBERG Paul H. (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  SPARROWE David (Merck Chemicals, Southampton, GBR) ,  GONCALVES Magda (Merck Chemicals, Southampton, GBR) ,  MCCULLOCH Iain (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  HEENEY Martin (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  ANTHOPOULOS Thomas (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  STINGELIN Natalie (Imperial Coll. London, London, GBR)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 20  号： 10  ページ： 1927-1931  発行年： 2010年03月14日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(2,5-ビス(3-ドデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン(pBTTT-C₁₂)について溶媒選定によりインクジェット記録用インクを開発した。インクジェットを用いるパターン形成によりOFETを作製した。キャリア移動度0.05~0.1cm²/Vs,オンオフ比10⁷を達成した。スピンコート法に比べてゲートリーク電流は1~2桁低い。単極デジタル論理ゲートへの応用を検討し,シグナルゲイン>16を確認した。電気泳動ディスプレイへの実装について他論文に報告した。

シソーラス用語： *高分子液晶 ,  *高分子半導体 ,  *インクジェット印刷 ,  インク ,  硫黄複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  パターン形成 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  漏れ電流 ,  利得 ,  表示装置 ,  電気泳動
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ゲイン ,  *チエノチオフェン誘導体 ,  チオフェン誘導体 ,  ディスプレイ ,  リーク電流 ,  液晶高分子 ,  OFET

分類 (4件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  印刷  (ZA05040A) ,  インキ  (YJ02000N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 液晶 ,  高分子半導体 ,  高分子 ,  電子回路 ,  インクジェット印刷