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J-GLOBAL ID：201002238682867913   整理番号：10A0177924

有機金属化学蒸着によるIn極性及びN極性InAlNの成長と特性評価

Growth and characterization of In-polar and N-polar InAlN by metal organic chemical vapor deposition

著者 (6件)： BROWN David F. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  KELLER Stacia (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  MATES Thomas E. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SPECK James S. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 3  ページ： 033509  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xAl_1-xN層の0.09≦x≦0.23をGaN上へIn極性とN極性両方の方位で有機金属化学蒸着により成長させた。温度とIII族流量を含む成長条件が表面形態とインジウムモル比率に及ぼす衝撃を調べた。In極性層は滑らかなマウンドに特徴がある表面形態を持ち,マウンドは成長中の過飽和が増大すると小さくなった。滑らかなN極性のInAlNは,不整配位角が<10-10>_GaNに向かって3°-5°の微斜面を使うと得られた。N極性InAlN」層では過飽和が低下するとステップバンチングが増大する傾向が見られた。In極性とN極性の層両方で,成長温度が下がり,成長速度が大きくなると,インジウム取り込みが増大した。インジウム取り込みは,我々の反応炉中に同時に入れた試料両方の配位で同じようであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  *表面性状 ,  過飽和 ,  微斜面 ,  *表面ステップ ,  化学組成 ,  極性 ,  成長速度 ,  基板温度
準シソーラス用語： ステップバンチング

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属化学蒸着 ,  極性 ,  InAlN ,  成長 ,  特性評価