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J-GLOBAL ID：201002238703283909   整理番号：10A0253955

ヘリウムと水素共注入シリコン表層割れの熱力学モデル

Thermodynamic model of helium and hydrogen co-implanted silicon surface layer splitting

著者 (7件)： LI B.s. (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, LanZhou 730000, CHN) ,  ZHANG C.h. (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, LanZhou 730000, CHN) ,  ZHANG H.h. (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, LanZhou 730000, CHN) ,  ZHANG Y. (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, LanZhou 730000, CHN) ,  YANG Y.t. (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, LanZhou 730000, CHN) ,  ZHOU L.h. (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, LanZhou 730000, CHN) ,  ZHANG L.q. (Inst. of Modern Physics, Chinese Acad. of Sciences, LanZhou 730000, CHN)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 268  号： 6  ページ： 555-559  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ヘリウム ,  水素 ,  *イオン注入 ,  ケイ素 ,  *表層 ,  *亀裂 ,  熱力学模型 ,  焼なまし ,  成長速度 ,  時間依存性 ,  温度依存性 ,  フルエンス ,  気体 ,  脱着 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： *割れ ,  熱力学モデル

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘリウム ,  水素 ,  共注入 ,  シリコン ,  表層 ,  熱力学モデル