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J-GLOBAL ID：201002238788470621   整理番号：10A0847817

半導体における衝撃イオン化フロント:非局所的予備イオン化による超高速伝播の数値的証拠

Impact ionization fronts in semiconductors: Numerical evidence of superfast propagation due to nonlocalized preionization

著者 (3件)： RODIN Pavel (Ioffe Physicotechnical Inst., Politechnicheskaya 26, 194021 St. Petersburg, RUS) ,  MINARSKY Andrey (Physico-Technical High School of Russian Acad. of Sci., Khlopina 8-3,194021 St. Petersburg, RUS) ,  GREKHOV Igor (Ioffe Physicotechnical Inst., Politechnicheskaya 26, 194021 St. Petersburg, RUS)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 3  ページ： 034501  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空乏高電場領域の非局所的予備イオン化によって引き起こされるイオン化フロントの超高速伝播の数値的証拠を与えた。非線形力学的に表すと,この半導体内のアバランシェ崩壊の伝播フロントモードは,非局所的初期条件の領域における不安定状態へ引き込まれるフロント伝播に相当する。我々の行ったシミュレーションの結果から,シリコンp⁺-n-n⁺構造において,そのようなフロントの励起と伝播が存在することが分かった。鋭い電圧傾斜を逆バイアス構造に対して加えることで,フロントはトリガーされる。フロントが伝播を開始する前に,深い準位の不純物からの電子の電界増強放射が,まず欠乏nベースを予備的にイオン化し,不均一な空間分布を持つ自由キャリアを生じさせる。衝撃イオン化は,フロントが伝播する全ての高電場領域において生じる。飽和ドリフト速度よりも10倍大きな速度を持ち,反対方向へ伝播する2つのイオン化フロントを見いだした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *衝突イオン化 ,  *半導体 ,  予備イオン化 ,  高速度 ,  *伝搬 ,  シミュレーション ,  キャリア ,  ドリフト速度 ,  深い準位
準シソーラス用語： 衝撃イオン化 ,  超高速 ,  *伝播 ,  自由キャリア

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 衝撃イオン化 ,  フロント ,  予備イオン化 ,  伝播 ,  数値 ,  証拠