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J-GLOBAL ID：201002239054806855   整理番号：10A0358638

InN/SnO₂の熱処理によって成長したインジウムすず酸化物のミクロ-及びナノ構造

Indium Tin Oxide Micro- and Nanostructures Grown by Thermal Treatment of InN/SnO₂

著者 (4件)： MAESTRE David (Universidad Complutense de Madrid, Madrid, ESP) ,  CREMADES Ana (Universidad Complutense de Madrid, Madrid, ESP) ,  GREGORATTI Luca (Sincrotrone Trieste, Basovizza-Trieste, ITA) ,  PIQUERAS Javier (Universidad Complutense de Madrid, Madrid, ESP)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 8  ページ： 3411-3415  発行年： 2010年03月04日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販のInN及びSnO₂を重量比で10/1で混合し,圧縮成形後,大気中で350°Cで3時間,その後750°Cで20時間加熱して,Sn2.6atom%を含むITO試料を調製した。この処理で矢型のITOが生成され,すず酸塩の形成が抑えられていることが分かった。X線光電子分光法の分析で,すずが主にSn⁴⁺の型でIn₂O₃格子中に取り込まれていることが分かった。また,ITO微細構造のルミネセンスを走査電子顕微鏡内で陰極線ルミネセンスで観察した。更に,これらの現象の発現メカニズムについて議論した。

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  インジウム ,  酸化スズ ,  スズ ,  *酸化インジウムスズ ,  *熱処理 ,  X線光電子分光法 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *微細構造 ,  ルミネセンス分析 ,  陰極線ルミネセンス ,  ナノ構造 ,  構造解析

分類 (3件)： 分子の性質一般  (BH05031D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： InN ,  熱処理 ,  成長 ,  インジウムすず酸化物 ,  ナノ構造