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J-GLOBAL ID：201002239085208530   整理番号：10A0294660

不純物が平衡分布をするための半導体表面上における固有ポテンシャルの不均一さ

Inherent Potential Inhomogeneity on the Semiconductor Surface for Equilibrium Impurity Distribution

著者 (3件)： BONDARENKO V.B. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS) ,  DAVYDOV S.N. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS) ,  FILIMONOV A.V. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 1  ページ： 41-44  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空間電荷層内において電気的に活性な不純物が拡散によって平衡に分布するための半導体表面上における固有ポテンシャルの不均一さに関する研究結果について議論する。また,表面に非縮退の電子ガスが存在する場合におけるランダムポテンシャルの値を決定した。更に,これらの不均一さの表面およびバルクパラメータ依存性を明らかにすることができた。

シソーラス用語： *不純物分布 ,  平衡状態 ,  半導体 ,  表面電位 ,  不均一性 ,  電子ガス ,  *ケイ素 ,  表面
準シソーラス用語： 空間電荷層 ,  ランダムポテンシャル

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不純物 ,  平衡 ,  分布 ,  半導体表面 ,  固有 ,  ポテンシャル ,  不均一さ