文献

J-GLOBAL ID：201002239240539867   整理番号：10A0135655

発光ダイオードの取出し効率を改善する方法

A route to improved extraction efficiency of light-emitting diodes

著者 (8件)： ZHU H. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  SHAN C. X. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  WANG L. K. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  YANG Y. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  ZHANG J. Y. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  YAO B. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  SHEN D. Z. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...) ,  FAN X. W. (Key Lab. of Excited State Processes, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 4  ページ： 041110  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-MgZnO/i-ZnO/MgO/p-GaN非対称二重ヘテロ接合からのエレクトロルミネセンスを実証した。n-MgZnOから電子を,p-GaNから正孔を注入し,ZnO活性層に由来する強力な紫外発光を観測した。MgZnO側から記録したダイオードの発光強度はMgO側からのものよりも僅かに大きく,これはMgZnOよりもMgOの屈折率が低い非対称導波路構造に起因した。本論文で報告した非対称導波路構造は光取出し効率を改善した発光ダイオードを実現するための単純で効果的方法を約束する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *エネルギー変換効率 ,  放射強度 ,  *エレクトロルミネセンス ,  酸化亜鉛 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  キャリア注入 ,  屈折率 ,  ヘテロ接合 ,  窒化ガリウム ,  酸化マグネシウム ,  紫外線
準シソーラス用語： *発光効率 ,  発光強度 ,  二重ヘテロ接合

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 発光ダイオード ,  取出し