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J-GLOBAL ID：201002239270260514   整理番号：10A0268709

コロイドナノ結晶のエレクトロニクス及びオプトエレクトロニクス応用概観

Prospects of Colloidal Nanocrystals for Electronic and Optoelectronic Applications

著者 (5件)： TALAPIN Dmitri V. (Univ. Chicago, Illinois) ,  TALAPIN Dmitri V. (Argonne National Lab, Illinois) ,  LEE Jong-Soo (Univ. Chicago, Illinois) ,  KOVALENKO Maksym V. (Univ. Chicago, Illinois) ,  SHEVCHENKO Elena V. (Argonne National Lab, Illinois)
資料名： Chemical Reviews  (Chemical Reviews)
巻： 110  号： 1  ページ： 389-458  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： B0256A  ISSN： 0009-2665  CODEN： CHREAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属,半導体あるいは磁性体コロイドナノ結晶(NC)の合成法,それらの諸物性とデバイスへの応用例を,以下の項目に分けて包括的に論じた。ここでNCは1個の結晶中に数100から数1000原子を含む2~3nmから20nm程度の微小結晶を示す。1)NCの溶液相合成(核形成と成長,ナノ粒子形状と形態工学,多成分コロイドナノ構造),2)ナノ結晶固体(短距離秩序化ナノ粒子集合体,ナノ粒子超格子,多成分ナノ粒子超構造,ナノ結晶固体の電子構造に関する理論),3)表面リガンドのデザイン(長鎖の炭化水素鎖を有する有機リガンド,交差結合表面リガンド,表面リガンドとしての金属カルコゲン化物錯体),4)ナノ結晶固体における輸送(交換相互作用エネルギー,帯電エネルギー,電子的及び構造的無秩序効果,伝導機構,磁気抵抗,半導体ナノ結晶における電子構造とシェル充填,半導体ナノ粒子及びナノ粒子集合体のドーピング,多成分集合体),5)ナノ結晶固体をデバイスに応用する際の一般的問題(電気的接触,Schottky障壁,有効キャリア移動度など),6)ナノ結晶デバイス(発光デバイス(LED),光検出器,太陽電池,電界効果トランジスタ,メモリ素子,熱電素子)。

シソーラス用語： *コロイド ,  *ナノ結晶 ,  ナノ粒子 ,  表面改質 ,  輸送現象 ,  磁気抵抗 ,  電子構造 ,  ドーピング ,  *オプトエレクトロニクス ,  Ohm接触 ,  Schottky障壁 ,  キャリア移動度 ,  *固体素子 ,  光検出器 ,  太陽電池 ,  FET【トランジスタ】 ,  記憶素子 ,  熱電素子 ,  *電子技術
準シソーラス用語： 発光デバイス

分類 (3件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (5件)： コロイド ,  ナノ結晶 ,  エレクトロニクス ,  オプトエレクトロニクス ,  応用