文献

J-GLOBAL ID：201002239332974098   整理番号：10A0847751

シリコンリッチ酸化物における電荷捕獲を活用した不揮発性メモリ

Nonvolatile memories by using charge traps in silicon-rich oxides

著者 (5件)： LIM Keun Yong (Dep. of Applied Physics, Coll. of Applied Sci., Kyung Hee Univ., Yongin 446-701, KOR) ,  KIM Min Choul (Dep. of Applied Physics, Coll. of Applied Sci., Kyung Hee Univ., Yongin 446-701, KOR) ,  HONG Seung Hui (Dep. of Applied Physics, Coll. of Applied Sci., Kyung Hee Univ., Yongin 446-701, KOR) ,  CHOI Suk-ho (Dep. of Applied Physics, Coll. of Applied Sci., Kyung Hee Univ., Yongin 446-701, KOR) ,  KIM Kyung Joong (Advanced Industrial Technol. Group, Korea Res. Inst. of Standards and Sci., P.O. Box 102, Yusong, Taejon 305-340, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 3  ページ： 033708  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷捕獲層として室温で成長させたシリコンリッチ酸化物(SRO,SiO_x)の持つ不揮発性メモリ特性を初めて報告し,この特性は酸素組成(x)に強く依存することを示す。容量-電圧曲線によって見積もられたメモリウインドウは,xが1.0から1.8に増加すると単調に減少することが分かった。x線光電子分光法から,この変化は恐らく電荷捕獲に関係するSiの亜酸化物状態のxに依存する変化に起因することが明らかになった。また,x=1.0~1.4の試料における電荷捕獲の密度は(3.9~8.8)×10¹²cm^-2であることが分かった。電荷の損失速度はx=1.2において急激に減少するが,1.2以上では徐々に増大することが分かった。これはxが大きくなると,SROの光学バンドギャップが増大するために低下したSRO/SiO₂の障壁によって説明される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,  化学量論 ,  電荷 ,  捕獲 ,  誘電体薄膜 ,  *不揮発性メモリ ,  濃度依存性 ,  容量電圧特性 ,  *MOS構造 ,  電荷分布 ,  密度 ,  X線光電子スペクトル ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  メモリウィンドウ【半導体】 ,  電荷密度

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  酸化物 ,  電荷捕獲 ,  活用 ,  不揮発性メモリ