文献

J-GLOBAL ID：201002239360797541   整理番号：10A0861608

高分子/Bi₂S₃ナノロッドのバルクヘテロ接合型太陽電池の性能に及ぼす界面修飾の影響

Influence of interface modification on the performance of polymer/Bi₂S₃ nanorods bulk heterojunction solar cells

著者 (7件)： WANG Zhijie (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  QU Shengchun (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  ZENG Xiangbo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LIU Junpeng (Coll. of Chemistry and Molecular Engineering, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  TAN Furui (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  JIN Lan (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  WANG Zhanguo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 257  号： 2  ページ： 423-428  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ポリ[2-メトキシ-5-(3′,7′-ジメチルオクチルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン](MDMO-PPV):Bi₂S₃ナノロッド合成物質によるバルクヘテロ接合型光起電力デバイスについて述べたものである。デバイスの最適化のために,励起子解離率に重要な影響を与える合成物質の界面修飾を調査した。デバイス性能の改良は,Bi₂S₃の表面を染料層で修飾することによって行った。さらに,アントラセン-9-カルボン酸でBi₂S₃表面を修飾することで,もっと性能を向上させることができた。MDMO-PPVを含有するBi₂S₃ナノロッドを活性層とした太陽電池と比較して,アントラセン-9-カルボン酸で修飾したデバイスは,電力変換効率が約1ケタ高く,良好な性能であった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  *ナノロッド ,  ポリフェニレンビニレン ,  硫化物 ,  *ビスマス化合物 ,  高分子半導体 ,  光起電力 ,  *化学修飾

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (2件)： アントラセン-9-カルボン酸 ,  1-(3,7-ジメチルオクチルオキシ)-4-メトキシ-2-ビニルベンゼン

タイトルに関連する用語 (6件)： 高分子 ,  ナノロッド ,  バルクヘテロ接合 ,  太陽電池 ,  界面 ,  修飾