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J-GLOBAL ID：201002239637982791   整理番号：10A0883681

広帯域量子ドット赤外光検出器

Broadband Quantum-Dot Infrared Photodetector

著者 (8件)： LIN Wei-Hsun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSENG Chi-Che (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAO Kuang-Ping (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUNG Shu-Yen (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Shih-Yen (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN) ,  WU Meng-Chyi (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 22  号： 13/16  ページ： 963-965  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子井戸赤外検出器と比較して量子ドット赤外検出器(QDIP)は検出領域が広いなどの特徴がある。しかし,中赤外波長(MWIR)3~5μmで広い検出領域のQDIPは報告されていない。本稿では,MWIRで広い検出領域を有するQDIPを検討した。MBEを用いてGaAs基板上に上下コンタクト層として,600及び300nmのn型GaAs層を成長させた。2.0単分子層(ML)InAsでキャップした5周期の二重積層2.5ML InAs-GaAsとIn_0.15Ga_0.85As QDなどの試料を作製した。InAs QDと50nm GaAs障壁層分離させたInGaAsキャップInAs QDとで二重積層QD構造を作製した。この結果により,本QDIPは4~11μmに広く平坦な検出領域を有することを示した。

シソーラス用語： 量子井戸 ,  *光検出器 ,  *赤外検出器 ,  *量子ドット ,  *赤外線 ,  MBE成長 ,  ヒ化ガリウム ,  単分子層 ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  FTIR分光法
準シソーラス用語： FTIR【分光法】 ,  GaAs ,  InAs ,  InGaAs ,  障壁層 ,  中赤外線

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 広帯域 ,  量子ドット ,  赤外光 ,  検出器