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J-GLOBAL ID：201002239648387674   整理番号：10A1147723

マンガナイト薄膜の低温電気抵抗率の量子補正に対する強誘電分極誘起歪の効果

Effects of ferroelectric-poling-induced strain on the quantum correction to low-temperature resistivity of manganite thin films

著者 (8件)： JIA R. R. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHANG J. C. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHENG R. K. (Hong Kong Polytechnic Univ., Hong Kong, CHN) ,  DENG D. M. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  HABERMEIER H.-U. (Max Planck Inst. for Solid State Res., Stuttgart, DEU) ,  CHAN H. L. W. (Hong Kong Polytechnic Univ., Hong Kong, CHN) ,  LUO H. S. (Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  CAO S. X. (Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 10  ページ： 104418.1-104418.5  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *電気抵抗率 ,  低温 ,  *量子補正 ,  *強誘電体 ,  Kondo効果 ,  ストロンチウム化合物 ,  非弾性散乱 ,  格子歪 ,  *巨大磁気抵抗効果 ,  温度依存性 ,  マンガン化合物 ,  酸素酸塩 ,  誘電体薄膜 ,  ランタン化合物 ,  カルシウム化合物 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *残留分極
準シソーラス用語： マンガナイト ,  磁場依存性 ,  抵抗極小 ,  電子-電子相互作用 ,  *亜マンガン酸塩

分類 (4件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： マンガナイト ,  薄膜 ,  低温 ,  電気抵抗率 ,  量子補正 ,  強誘電分極 ,  誘起 ,  歪