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J-GLOBAL ID：201002239911034005   整理番号：10A0680431

グラフジインナノ薄膜の構築

Architecture of graphdiyne nanoscale films

著者 (8件)： LI Guoxing (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LI Guoxing (Graduate School, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LI Yuliang (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Huibiao (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  GUO Yanbing (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  GUO Yanbing (Graduate School, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LI Yongjun (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHU Daoben (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Chemical Communications  (Chemical Communications)
巻： 46  号： 19  ページ： 3256-3258  発行年： 2010年05月21日 
JST資料番号： D0376B  ISSN： 1359-7345  CODEN： CHCOFS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい炭素同素体の調製を志向し,sp混成とsp²混成の炭素からなる同素体,「グラフジイン(黒鉛質ジイン)」,について,薄膜の調製と特性化,電気伝導測定などにより検討した。ヘキサエチニルベンゼンの銅基板(触媒,担体)表面での交差カップリング(ピリジン共存)では,大面積の薄膜(例:3.61cm²)が生成し,半導性を示す(電気伝導率:2.516×10^-4S/m,室温)。薄膜の形態的,微細構造的な特性化を行い(多層構造,sp炭素/sp²炭素比:2,ベンゼン環を-C≡C-C≡C-ジイン結合で架橋した分子構造),電流~電圧特性(Ohm挙動)を明らかにした。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *薄膜 ,  *ジイン ,  *黒鉛組織 ,  電気伝導率 ,  交差カップリング反応 ,  半導性 ,  微細構造 ,  *ナノシート ,  *ナノ薄膜
準シソーラス用語： 交叉カップリング ,  *黒鉛形態

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

物質索引 (1件)： ヘキサエチニルベンゼン

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフジイン ,  ナノ薄膜 ,  構築