文献

J-GLOBAL ID：201002239947518840   整理番号：10A0995702

Si(111)表面でのナノ次元貴金属-酸化物-半導体接合の電気化学的合成に関するモデル実験

Model experiments on electrochemical formation of nano-dimensioned noble metal-oxide-semiconductor junctions at Si(111) surfaces

著者 (2件)： MUNOZ A.g. (Inst. for Solar Fuels and Energy Storage Materials, Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy, Lise-Meitner ...) ,  LEWERENZ H.j. (Inst. for Solar Fuels and Energy Storage Materials, Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy, Lise-Meitner ...)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 55  号： 26  ページ： 7772-7779  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近紹介されたナノエミッタ概念は光起電力および光電気触媒エネルギー変換を認める。デバイス機能は現在,Si吸収体上の不動態膜中に埋込んだ金属ナノエミッタをベースとしている。n-型H:Si(111)上へのナノスケール貴金属島の電着に関するモデル実験を提示する。とりわけ,インピーダンススペクトロスコピーやサイクリックボルタンメトリーのような電気化学的方法,原子間力顕微鏡(AFM),透過型電子顕微鏡(TEM)およびシンクロトロン放射光電子スペクトロスコピー(SRPES)を表面化学とエレクトロニクスの解明に適用した。消耗状態下の還元電流の電着プロフィルは,核形成プロセスの電着速度と表面サイト選択性に強く影響する占有表面状態による電子交換を示す。高い表面感度に調整したフォトンエネルギーでのSRPESは貴金属塩化物錯体の還元中での超薄二酸化ケイ素膜形成を示す。この界面酸化物の存在を高分解能TEM実験で確認する。電着におけるSi表面でのステップバンチングをAFMで観察し,(i)溶液を含む金属塩化物錯体および(ii)塩化物イオン溶液を用いて詳細に分析する。塩化物イオン含有溶液におけるSiエッチングのモデルを,Cl^-がSi表面に吸着することを示すインピーダンス測定も基にして提示する。最後に,Si(111)へのヘキサクロロ錯体PtCl₆^2-からのPt電着の連続段階を概説する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光起電力効果 ,  *光電気化学 ,  *エミッタ【半導体】 ,  *ナノ構造 ,  *太陽電池 ,  *光触媒 ,  *電極触媒 ,  *ケイ素 ,  *表面構造 ,  *白金錯体 ,  電着 ,  *半導体金属接合 ,  *電気化学的挙動 ,  *電気化学インピーダンス ,  インピーダンススペクトル ,  サイクリックボルタンメトリー ,  原子間力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  シンクロトロン放射 ,  光電子スペクトル ,  酸化物 ,  エッチング ,  *MOS構造 ,  電気化学反応

分類 (5件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  白金族元素の錯体  (CE01100E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  次元 ,  貴金属 ,  酸化物 ,  半導体接合 ,  化学的合成 ,  モデル実験