IVANOVA L. について
Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU について
EISELE H. について
Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU について
VAUGHAN M. P. について
Tyndall National Inst., Cork, IRL について
EBERT Ph. について
Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU について
LENZ A. について
Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU について
TIMM R. について
Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU について
SCHUMANN O. について
Infineon Technol. AG, Muenchen, DEU について
SCHUMANN O. について
Carl Zeiss SMT AG, Oberkochen, DEU について
GEELHAAR L. について
Infineon Technol. AG, Muenchen, DEU について
GEELHAAR L. について
Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU について
DAEHNE M. について
Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU について
FAHY S. について
Tyndall National Inst., Cork, IRL について
FAHY S. について
Univ. Coll. Cork, Cork, IRL について
RIECHERT H. について
Infineon Technol. AG, Muenchen, DEU について
RIECHERT H. について
Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU について
O’REILLY E. P. について
Tyndall National Inst., Cork, IRL について
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について
ガリウム化合物 について
ヒ化物 について
窒化物 について
伝導バンド について
状態密度 について
不純物準位 について
スペクトロスコピー について
Green関数 について
希薄合金 について
化合物半導体 について
ヒ化窒化ガリウム について
走査トンネル分光 について
半導体結晶の電子構造 について
希釈 について
合金 について
伝導帯 について
状態密度 について
直接測定 について
解析 について