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J-GLOBAL ID：201002240002217337   整理番号：10A1126490

ガス検知応用に対する50nm厚AlN共振微細カンチレバー

50nm Thick AlN Resonant Micro-Cantilever for Gas Sensing Application

著者 (8件)： IVALDI P. (CEA/LETI-MINATEC, Grenoble, FRA) ,  ABERGEL J. (CEA/LETI-MINATEC, Grenoble, FRA) ,  ARNDT G. (CEA/LETI-MINATEC, Grenoble, FRA) ,  ROBERT P. (CEA/LETI-MINATEC, Grenoble, FRA) ,  ANDREUCCI P. (CEA/LETI-MINATEC, Grenoble, FRA) ,  BLANC H. (CEA/LETI-MINATEC, Grenoble, FRA) ,  HENTZ S. (CEA/LETI-MINATEC, Grenoble, FRA) ,  DEFAY E. (CEA/LETI-MINATEC, Grenoble, FRA)
資料名： Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium  (Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium)
巻： 2010  ページ： 81-84  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0958A  ISSN： 1075-6787  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN圧電NEMS/MEMSの実証に向けて,50nm厚AlN圧電層により作動し検出する90μm×40μm×885nm微細カンチレバーの作成および全電気特性評価について述べ,50nm厚AlN層が,十分良好な圧電特性を保持し,トランスデューサを実現できることを示した。AlN堆積技術は,50nmから800nmの膜厚に対して0.78C.m^-2に達する高圧電係数を可能とすることを実証した。圧電NEMSの極めて低い信号対バックグラウンド比を予測するために,試験プローブ上に直接搭載するオンチップ電気ブリッジおよび相互インピーダンス増幅器回路を用いて電気特性評価を行った。全実験設定のAllan偏差を測定し,その結果を用いた計算により,ガス検知に対する予測検出限界値が70zg.μm^-2に等しいことを示した。

シソーラス用語： *ガス検出器 ,  窒化アルミニウム ,  共振 ,  *片持梁 ,  *MEMS ,  微細加工 ,  変換器
準シソーラス用語： AlN ,  NEMS ,  オンチップ ,  ガス検知器 ,  カンチレバー ,  *圧電トランスデューサ ,  圧電係数 ,  圧電効果 ,  相互インピーダンス増幅器

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガス検知 ,  応用 ,  厚 ,  AlN ,  共振 ,  微細 ,  カンチレバー