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J-GLOBAL ID：201002240007334854   整理番号：10A0750543

高品質GaNテンプレートのための自己集合シリカナノ球体による選択的欠陥阻止

Selective Defect Blocking by Self-Assembled Silica Nanospheres for High Quality GaN Template

著者 (11件)： PARK Young Jae (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  KIM Hyung Gu (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  KIM Hee Yun (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  RYU Jae Hyoung (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  KIM Hyun Kyu (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  KANG Ji Hye (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  HAN Nam (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  HAN Min (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  KONG Bo Hyun (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi, KOR) ,  CHO Hyung Koun (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi, KOR) ,  HONG Chang-Hee (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 8  ページ： H287-H289  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDによってサファイア基板上に厚さ2μmのGaN層をエピタキシャル成長させ,220°CのH₃PO₄中で欠陥選択エッチングして貫通転位欠陥部分を孔食させた。直径500nmのスピンコーティングおよび毛管力法によってシリカナノ球体を孔食部に配置した後,MOCVDによってGaNを成長させた。走査電子顕微鏡法,透過型電子顕微鏡法および原子間力顕微鏡法によってGaN層を調べ,シリカナノ球体が貫通転位の伝播を阻止(5×10⁹から3×10⁷へ)し,エッチング孔食密度を減少(3×10⁷から3×10⁵へ)させることを明らかにした。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *サファイア ,  *エピタクシー ,  *貫通転位 ,  ミクロスフェア ,  孔食 ,  リン酸 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  *エピタキシャル成長 ,  ナノ球

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  塩  (CD01050V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高品質 ,  GaN ,  テンプレート ,  自己集合 ,  シリカ ,  球体 ,  欠陥 ,  阻止