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J-GLOBAL ID：201002240011505175   整理番号：10A0965883

Ti注入Siにおける中間帯域特性の熱安定性

Thermal stability of intermediate band behavior in Ti implanted Si

著者 (4件)： OLEA J. (Dpto. De Fisica Aplicada III (Electricidad y Electronica), Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de ...) ,  PASTOR D. (Dpto. De Fisica Aplicada III (Electricidad y Electronica), Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de ...) ,  MARTIL I. (Dpto. De Fisica Aplicada III (Electricidad y Electronica), Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de ...) ,  GONZALEZ-DIAZ G. (Dpto. De Fisica Aplicada III (Electricidad y Electronica), Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de ...)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 94  号： 11  ページ： 1907-1911  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siに対する極めて高い投与量のTi注入を実施した。これに続くパルスレーザ融解(PLM)アニーリングによって,エレクトロトランスポート特性が中間帯域(IB)理論でよく説明のできる良好な結晶格子が生成した。この新しい材料の熱安定性は,温度を上昇した場合の熱力学平衡条件において等時アニーリングの手段で解析した。熱アニーリングにおけるIB特性の不活性化の進展を示し,この結果の起源を見出すために構造的ならびに電気的計測について報告した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  材料 ,  ケイ素 ,  チタン ,  注入 ,  熱安定性 ,  融解 ,  熱処理 ,  エレクトロトランスポート ,  結晶格子
準シソーラス用語： パルスレーザ融解 ,  中間帯域

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ti ,  注入 ,  Si ,  熱安定性