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J-GLOBAL ID：201002240014817569   整理番号：10A0589829

半導体中の電離波面を用いたナノ秒およびサブナノ秒領域におけるパルスパワー発生

Pulse Power Generation in Nano- and Subnanosecond Range by Means of Ionizing Fronts in Semiconductors: The State of the Art and Future Prospects

著者 (1件)： GREKHOV Igor V. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., Saint Petersburg, RUS)
資料名： IEEE Transactions on Plasma Science  (IEEE Transactions on Plasma Science)
巻： 38  号： 5  ページ： 1118-1123  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0036B  ISSN： 0093-3813  CODEN： ITPSBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧逆バイアスを印加したシリコンp-nダイオード中の電離波面伝搬は,最も高速の非光学的過程によらぬ半導体中の電子-ホールプラズマ発生過程である。高電圧半導体構造を非導通から導通状態に数100psの時間内にスイッチ可能である。電離エネルギー0.28および0.54eVの二重ドナー電子トラップが主たるキャリア供給源で,電離波面の形成と伝搬を引き起こす。このようなスイッチ機能を有するn⁺-p-n-p⁺構造デニスタにより,数kA級の電流を立ち上がり時間nsあるいはサブnsで発生できる。素子の特性を測定するとともに,数値シミュレーションをもとにパルスパワー・高電圧応用の可能性を考察する。

シソーラス用語： ダイオード ,  *スイッチング素子 ,  計算機シミュレーション ,  バイアス
準シソーラス用語： *パルスパワー ,  逆バイアス ,  *電離波面

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ秒 ,  サブ ,  パルスパワー