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J-GLOBAL ID：201002240196665190   整理番号：10A0456375

NH₂による自己組織化単層膜を用いたサブナノメーター銅拡散バリアのボトムアップエンジニアリング

Bottom-Up Engineering of Subnanometer Copper Diffusion Barriers Using NH₂-Derived Self-Assembled Monolayers

著者 (7件)： MAESTRE CARO Arantxa (IMEC, Leuven, BEL) ,  ARMINI Silvia (IMEC, Leuven, BEL) ,  RICHARD Olivier (IMEC, Leuven, BEL) ,  MAES Guido (Katholieke Universiteit Leuven(KUL), Leuven, BEL) ,  BORGHS Gustaaf (IMEC, Leuven, BEL) ,  WHELAN Caroline M. (COST, Brussels, BEL) ,  TRAVALY Youssef (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 20  号： 7  ページ： 1125-1131  発行年： 2010年04月09日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅配線の微細化に伴い,密着性に優れた薄い銅拡散バリア膜の形成法の確立が望まれている。その一つとして有機単分子層の自己組織化技術が注目されている。本研究では,3-アミノプロピルトリメトキシシランを用いた自己組織化膜(NH₂SAM)を形成し,バリア膜としての熱的安定性,銅拡散の抑制および上部銅層と下部SiO₂層との密着性を評価した。XPS,飛行時間型2次イオン質量分析,TEMおよびエネルギー損失電子分光等による評価の結果,NH₂SAMはCu堆積およびその後のアニール後も変化せず,Cu拡散の痕跡は認められなかった。また,密着性は温度と共に大きくなり,400°CでTa/TaNバリアと同等の7.2Jm^-2を示した。

シソーラス用語： *銅 ,  *カップリング剤 ,  単分子層 ,  付着力 ,  拡散 ,  微細構造 ,  超小形回路 ,  導体材料

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

物質索引 (1件)： (3-アミノプロピル)トリメトキシシラン

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己組織化 ,  単層膜 ,  サブ ,  ナノメーター ,  銅 ,  拡散バリア ,  ボトムアップ ,  エンジニアリング