文献

J-GLOBAL ID：201002240297086760   整理番号：10A1755392

ディラック電子系の固体物理 II.グラフェンの物理 グラフェンの磁気抵抗

著者 (2件)： 八木隆多 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  八木隆多 (広島大 先進機能物質研究セ)
資料名： 固体物理  (Solid State Physics)
巻： 45  号： 11  ページ： 631-644  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： F0158B  ISSN： 0454-4544  CODEN： KOTBA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電子 ,  *磁気抵抗効果 ,  グラファイト ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  バンド構造 ,  FET【トランジスタ】 ,  電気伝導率 ,  ゲート【半導体】 ,  *Landau準位 ,  フェルミオン ,  強磁場 ,  *Shubnikov-de Haas効果 ,  量子Hall効果 ,  サイクロトロン共鳴 ,  *グラフェン ,  Dirac電子 ,  単層グラフェン ,  二層グラフェン ,  多層グラフェン ,  Diracフェルミオン ,  Dirac点

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ディラック電子 ,  固体物理 ,  グラフェン ,  物理 ,  磁気抵抗