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J-GLOBAL ID：201002240329686411   整理番号：10A0798155

p-TlInSe₂単結晶の電気伝導度に及ぼす圧力の影響

Effect of Pressure on the Electrical Conductivity of p-TlInSe₂ Single Crystals

著者 (4件)： MATIYEV A. Kh. (Ingush State Univ., Magas, RUS) ,  GEORGOBIANI A. N. (P.N. Lebedev Physical Inst. Russian Acad. Sci., Moscow, RUS) ,  KODIN V. V. (South Russian State Technical Univ., Volgodonsk, RUS) ,  MATIYEV M. A. (Ingush State Univ., Magas, RUS)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 397  ページ： 198-203  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の結晶について正方[001]方向に0~30×10⁸Paの静水圧Pを印加して電気伝導度σの変化を測定した。その結果電気伝導度はσ(P)=σ₀exp(GP/2kT)に従い,圧力に従うバンドギャップ変化G=E(P)/Pは1.75×10^-10eV/Paであった。この値は結晶の[001]方向に一軸圧力を印加して測定した光伝導度スペクトルの長波長限界での間接ギャップから計算したG値(3~4×10^-10eV/Pa)とほぼ一致した。

シソーラス用語： P型半導体 ,  *テルル化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *セレン化物 ,  単結晶 ,  静水圧 ,  圧力効果 ,  *電気伝導率 ,  バンドギャップ ,  圧縮応力 ,  光伝導

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶 ,  電気伝導度