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J-GLOBAL ID：201002240341269834   整理番号：10A1539419

一次元素子構造における障壁依存電子トンネリング寿命

Barrier dependent electron tunneling lifetime in one-dimensional device structures

著者 (4件)： LI Hui (School of Physical Engineering, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN) ,  GONG Jian (Dep. of Physics, Inner Mongolia Univ., Hohhot 010021, CHN) ,  HU Xing (School of Physical Engineering, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN) ,  ZHANG Rui-qin (Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong, Hong Kong Special Administrative Region, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 10  ページ： 104514  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一次元ポテンシャル構造における電子のトンネリング時間を,射影Green関数(PGF)法を用いて研究した。このアプローチを,電子が初期の時間に位置している量子井戸の右側に,一障壁,二障壁,及び三障壁をもつポテンシャルの場合に応用した。結果は,トンネリング時間に及ぼす井戸幅及び障壁厚さの効果を含んでおり,さらに,単一障壁の多障壁への分裂のトンネリング時間に及ぼす影響も示した。本研究は,PGF法の妥当性を確認しただけでなく,共鳴トンネリング素子の動作速度に及ぼすポテンシャル構造の影響も明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル効果 ,  ポテンシャル ,  一次元 ,  *電子 ,  *Green関数 ,  *ポテンシャル障壁 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： トンネリング

分類 (3件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 素子構造 ,  障壁 ,  電子トンネリング ,  寿命