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J-GLOBAL ID：201002240408090311   整理番号：10A1539541

パルスレーザ蒸着したCe_0.9Gd_0.1O_2-δ/SrTiO₃ヘテロ構造の導電率増加

Enhanced conductivity in pulsed laser deposited Ce_0.9Gd_0.1O_2-δ/SrTiO₃ heterostructures

著者 (3件)： KANT K. Mohan (Fuel Cells and Solid State Chemistry Div., Riso Denmark Technical Univ., Roskilde-4000, DNK) ,  ESPOSITO V. (Fuel Cells and Solid State Chemistry Div., Riso Denmark Technical Univ., Roskilde-4000, DNK) ,  PRYDS N. (Fuel Cells and Solid State Chemistry Div., Riso Denmark Technical Univ., Roskilde-4000, DNK)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 14  ページ： 143110  発行年： 2010年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgO(001)基板に蒸着されたCe_0.9Gd_0.1O_2-δ(CGO)薄膜(250と500nm)の大きな電気導電率の増加が,~50nmの薄いSrTiO₃緩衝層膜の挿入によって観察された。緩衝層の挿入がエピタキシャル膜を形成し,電流の流れと直角なゼロに近いブロッキング効果の自由導電パスとなる最小粒子境界ネットワークを導く事が見出される。面内導電率の測定によってCGO膜の圧縮ストレス増加に伴う導電率の増加を確認する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,  チタン酸ストロンチウム ,  *酸化物 ,  *セリウム化合物 ,  *ガドリニウム化合物 ,  素子構造 ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  *バッファ層 ,  エピタクシー ,  *電気伝導率 ,  ブロッキング ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： ヘテロ構造

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルスレーザ蒸着 ,  ヘテロ構造 ,  導電率