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J-GLOBAL ID:201002240490117150   整理番号:10A0139171

短共振器AlGalnP LDの高出力化

High-Power, Short-Cavity AlGalnP Laser Diodes
著者 (11件):
資料名:
号: 176  ページ: 97-101  発行年: 2010年01月 
JST資料番号: F0314A  ISSN: 1343-4330  CODEN: SUDEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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熱アシスト磁気記録の次世代HDDやモバイルデバイスへの応用拡大が期待されているレーザダイオード(LD)について,小型化,短共振器長化を述べた。高出力が得られるAlGaInP LDを,大口径4インチ・ウエハの量産プロセスを用いてその短共振器化を検討し,試作して性能を考察した。共振器長300μmの波長660nm LDにおいて,CW駆動下で光出力30mW以上を実用温度領域25~80°Cで実現した。単位共振器長あたり出力は100mW/mmを超え,共振器長2200μmの高倍率DVD書き込み用高出力LDの出力64mW/mmを大きく上回ると述べた。
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
引用文献 (7件):
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