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J-GLOBAL ID：201002240497735045   整理番号：10A0871087

無晶形SnドープAs2S8薄膜の光誘起屈折率変化効果およびストライプ導波路の作製における応用

Photoinduced refractive index change effect of amorphous Sn-doped As2S8 film and its application in stripe waveguide fabrication

著者 (7件)： Sun Bei ,  Chen Bao-Xue ,  Sui Guo-Rong ,  Wang Guan-De ,  Zou Lin-Er ,  Hiromi Hamanaka ,  Mamoru Iso
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 58  号： 5  ページ： 3238-3242  発行年： 2009年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 実験でSn1As20S79無晶形半導体薄膜の光誘起屈折率変化効果および膜厚変化現象を研究し、沈積態サンプル、冷延態サンプルと光飽和態サンプルの実験規律をまとめた。紫外線誘起方法でSn1As20S79ストライプ導波路を試作した。波長632.8 nmによる導波モード誘起は当ストライプ導波路が良好な導波性能があることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： スズ ,  薄膜 ,  誘導 ,  *屈折率 ,  *導波路 ,  *半導体薄膜 ,  紫外線 ,  超音波
準シソーラス用語： Sn ,  光誘起 ,  導波

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Sn ,  ドープ ,  薄膜 ,  光誘起 ,  屈折率変化 ,  導波路 ,  作製 ,  応用