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J-GLOBAL ID：201002240596134029   整理番号：10A1095954

アルミニウムドープ酸化亜鉛膜のエッチング挙動と結晶方位の関係

The relationship of etching behavior and crystal orientation of aluminum doped zinc oxide films

著者 (14件)： DING J.n. (Center for Low-Dimensional Materials, Micro-Nano Devices and System, Changzhou Univ., 1 Ge Hu Road, Changzhou 213164 ...) ,  DING J.n. (Key Lab. of New Energy Source, Changzhou 213164, CHN) ,  YE F. (Center for Low-Dimensional Materials, Micro-Nano Devices and System, Changzhou Univ., 1 Ge Hu Road, Changzhou 213164 ...) ,  YE F. (Key Lab. of New Energy Source, Changzhou 213164, CHN) ,  YUAN N.y. (Center for Low-Dimensional Materials, Micro-Nano Devices and System, Changzhou Univ., 1 Ge Hu Road, Changzhou 213164 ...) ,  YUAN N.y. (Key Lab. of New Energy Source, Changzhou 213164, CHN) ,  TAN C.b. (Center for Low-Dimensional Materials, Micro-Nano Devices and System, Changzhou Univ., 1 Ge Hu Road, Changzhou 213164 ...) ,  TAN C.b. (Key Lab. of New Energy Source, Changzhou 213164, CHN) ,  ZHU Y.y. (Center for Low-Dimensional Materials, Micro-Nano Devices and System, Changzhou Univ., 1 Ge Hu Road, Changzhou 213164 ...) ,  ZHU Y.y. (Key Lab. of New Energy Source, Changzhou 213164, CHN) ,  DING G.q. (Center for Low-Dimensional Materials, Micro-Nano Devices and System, Changzhou Univ., 1 Ge Hu Road, Changzhou 213164 ...) ,  DING G.q. (Key Lab. of New Energy Source, Changzhou 213164, CHN) ,  CHEN Z.h. (Center for Low-Dimensional Materials, Micro-Nano Devices and System, Changzhou Univ., 1 Ge Hu Road, Changzhou 213164 ...) ,  CHEN Z.h. (Key Lab. of New Energy Source, Changzhou 213164, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 257  号： 5  ページ： 1420-1424  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40kHzの励起周波数を用いた中間周波数スパッタリングモードで動作するインラインスパッタリングシステムにおいてコーニングガラス上にアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)の透明な導電性膜を動的に堆積した。本研究は,湿式化学エッチング後の表面構造そして電気的および光学的性質を扱った。基板温度の上昇とともに,堆積した状態の膜の支配的方位は(002)から(103)に変化した。湿式化学エッチング後に,(103)面に対してあ(002)面の迅速なエッチング速度のために,異なる温度で堆積した膜の表面形態はクレーター様形態から顆粒状表面形態への移行を示した。実験結果は,堆積した状態の膜の結晶方位が膜のエッチング挙動に対して重要な役割を果たすことを証明した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  *透明導電膜 ,  エッチング ,  *表面構造 ,  *結晶方位 ,  *基板温度 ,  スパッタ蒸着

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： アルミニウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛 ,  エッチング ,  挙動 ,  結晶方位