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J-GLOBAL ID：201002240670418590   整理番号：10A0510597

GaAs[111]B上に成長させた周期的にパターン化したGaAsナノロッドからのX線回折

X-Ray Diffraction from Periodically Patterned GaAs Nanorods Grown onto GaAs[111]B

著者 (6件)： DAVYDOK Anton (Siegen Univ., Siegen, DEU) ,  BIERMANNS Andreas (Siegen Univ., Siegen, DEU) ,  PIETSCH Ullrich (Siegen Univ., Siegen, DEU) ,  GRENZER Joerg (FZ-Dresden Rossendorf, Dresden, DEU) ,  PAETZELT Hendrik (Leibniz Inst. Surface Modification, Leipzig, DEU) ,  GOTTSCHALCH Volker (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
資料名： Metallurgical and Materials Transactions. A. Physical Metallurgy and Materials Science  (Metallurgical and Materials Transactions. A. Physical Metallurgy and Materials Science)
巻： 41  号： 5  ページ： 1191-1195  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： E0265B  ISSN： 1073-5623  CODEN： MTTABN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気ー液体ー固体(VLS)エピタクシーによって成長させた半導体ナノロッド(NR)は新規な電気および光学特性を持つ材料が製造できるため,注目されている。本研究では,GaAs[111]B表面上に,プリパターン化した非晶質SiN_xマスクの全体に渡って,触媒フリーで成長した周期的なGaAsの集合体としてのNRおよび個々のNRの高分解能回折パターンを提供した。実験は,複合屈折レンズで作られたミクロンサイズのビームのシンクロトロン照射を用いて行った。構造の特徴をGaAs(111)および(222)反射近傍におけるRSM(q_x,q_z)を測定することによって調査した。GaAs基板ピークの他にNRに対応する第二のピークが認められた。NR成長時のSiN_xが再結晶することにより立方晶のγ-Si₃N₄の小結晶が生ずることが明らかになった。

シソーラス用語： 基板 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ナノロッド ,  半導体 ,  *エピタクシー ,  パターン形成 ,  *X線回折 ,  空間 ,  構造解析 ,  写像 ,  格子 ,  MOCVD ,  結晶成長 ,  選択成長
準シソーラス用語： MOVPE ,  NR【ナノロッド】 ,  RSM【逆格子】 ,  パターン化 ,  逆格子空間 ,  空間マッピング ,  領域選択成長

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  成長 ,  ナノロッド ,  X線回折