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J-GLOBAL ID：201002240686095227   整理番号：10A1607736

傾斜角蒸着法によるケイ素の構造と光学特性

Structural and optical properties of silicon by tilted angle evaporation

著者 (5件)： JANG Sung Jun ,  SONG Young Min ,  CHOI Hee Ju ,  YU Jae Su ,  LEE Yong Tak
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 205  号： Supplement 1  ページ： S447-S450  発行年： 2010年12月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上にシリコン(Si)薄膜を斜め蒸着法を用いて製造した。Si薄膜の堆積速度は,基板の傾斜角度の増加に伴って減少した。屈折率(n)と消散係数は,Si膜に気孔を導入することにより設計可能であった。Si薄膜の屈折率はSi束の異なる入射角により可視波長の範囲で1.6~3.4まで変化可能であった。消散係数は傾斜角度が大きくなると低くなった。Si束の入射角に応じて蒸発後に傾斜ナノ構造を有する多孔質ケイ素膜(すなわち,低n-Si)が観察された。Si基板上のSi膜の反射率は,厳密結合波解析と移動行列法による理論計算と比較して分光光度計により測定した。これらの反射率の結果は測定した堆積Si膜の屈折率を使用して得られたシミュレーション結果と一致した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *蒸着膜 ,  *イオンビーム蒸着 ,  ウエハ【IC】 ,  堆積速度 ,  屈折率 ,  光屈折 ,  係数 ,  光学定数 ,  光反射 ,  反射率 ,  電磁場解析 ,  転送行列 ,  微細構造 ,  材料 ,  多孔質体 ,  *真空蒸着
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  ナノ多孔質体 ,  *傾斜角蒸着 ,  厳密結合波解析 ,  *斜め蒸着 ,  消散係数

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 傾斜角蒸着 ,  ケイ素 ,  光学特性