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J-GLOBAL ID：201002240921988196   整理番号：10A0863958

超臨界流体を用いた多孔質低誘電率薄膜プロセス-細孔の評価と洗浄-

Science in porosity engineering of low-k dielectrics using supercritical carbon dioxide-Pore characterization and pore cleaning-

著者 (1件)： 近藤英一 (山梨大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 154(CPM2010 31-41)  ページ： 23-28  発行年： 2010年07月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超臨界二酸化炭素は,ナノレベルの浸透性,表面張力がゼロ,溶媒能などをあわせ持つ特異な流体である。これらの特長は多孔質低誘電率薄膜のプロセスに最適であり,細孔内部の洗浄,ポストドライエッチクリーニング,細孔の内部修飾まで広く適用が可能である。超臨界流体中での細孔エンジニアリングの詳細な研究データはこれまでほとんどない。この研究では,著者らが開発した超臨界流体中のその場エリプソメトリを用いて超臨界中での多孔質薄膜の挙動を考察し洗浄や浸透過程の解析に適用した例について述べている。(著者抄録)

シソーラス用語： 超臨界流体 ,  多孔性 ,  *誘電体薄膜 ,  過程 ,  ドライエッチング ,  *偏光解析法 ,  浸透 ,  洗浄 ,  *二酸化炭素 ,  細孔構造 ,  *超臨界二酸化炭素
準シソーラス用語： *エリプソメトリー ,  プロセス ,  多孔質 ,  *低誘電率膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (18件)：

• 佐古猛編著. 超臨界流体. 2001
• BAKLANOV, M. eds. Dielectric Films for Advanced Microelectronics. 2007
• WEIBEL, G. Microelectr. Eng. 2003, 65, 145
• XIE, B. Microelectr. Eng. 2005, 76, 52
• GORMAN, B. P. J. Vac. Sci. Technol. B. 2004, 22, 52

タイトルに関連する用語 (7件)： 超臨界流体 ,  多孔質 ,  低誘電率薄膜 ,  プロセス ,  細孔 ,  評価 ,  洗浄