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J-GLOBAL ID：201002240995863778   整理番号：10A0352890

低電圧低電力で線形性を改善したCMOSアクティブ抵抗回路

Low-voltage low-power improved linearity CMOS active resistor circuits

著者 (2件)： MANOLESCU Anca (Univ. Politehnica of Bucharest, Bucuresti, ROM) ,  POPA Cosmin (Univ. Politehnica of Bucharest, Bucuresti, ROM)
資料名： Analog Integrated Circuits and Signal Processing  (Analog Integrated Circuits and Signal Processing)
巻： 62  号： 3  ページ： 373-387  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W0439A  ISSN： 0925-1030  CODEN： AICPEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS技術の微細化に対応した浮遊ゲートMOS(FGMOS)トランジスタによるアクティブな抵抗回路の実装設計を解説した。差動増幅ベースの回路,相補計算回路,オーム則ミラーリング,線形化技術,対称構造化などの理論解析を行った。線形性の改善,2次効果による誤差の補償,面積の最小化など技術を取り入れたFGMOSアクティブ抵抗回路の解析と実装設計を行った。周波数応答の改善のために,総てのMOSFETを飽和領域にバイアスし,重要な部分を電流モード動作にした。設計パラメータにより負性抵抗回路も得られる。SPICEシミュレーションで理論推定値を検証した。線形性誤差は最善で0.15%以下になった。提案の回路は低電圧低電力要求に対応できる。

シソーラス用語： *電気抵抗 ,  *能動回路 ,  *CMOS構造 ,  電圧 ,  消費電力 ,  線形性 ,  フローティングゲート ,  実装設計 ,  差動増幅器 ,  周波数応答 ,  電流モード回路 ,  回路シミュレーション
準シソーラス用語： 低電圧

分類 (3件)： LCR部品  (NA05030D) ,  その他の電子回路  (NC05090X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電圧 ,  低電力 ,  線形性 ,  CMOS ,  抵抗回路