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J-GLOBAL ID：201002240997036224   整理番号：10A1537195

高反射係数合成のためのループ強化受動ソースプル技法とロードプル技法

Loop Enhanced Passive Source- and Load-Pull Technique for High Reflection Factor Synthesis

著者 (4件)： GHANNOUCHI Fadhel M. (Univ. Calgary, AB, CAN) ,  HASHMI Mohammad S. (Univ. Calgary, AB, CAN) ,  BENSMIDA Souheil (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  HELAOUI Mohamed (Univ. Calgary, AB, CAN)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 58  号： 11,Pt.1  ページ： 2952-2959  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 受動可変インピーダンスを用いたソースプル測定とロードプル測定は発振が無くインピーダンス合成が高速で大電力増幅器等のデバイスの測定が可能などの特長がある。しかし,合成可能な典型的反射係数は0.85であり,前置整合回路を付加しても0.90~0.92である。本論文では,0.97の反射係数が合成可能な受動回路構成を提案した。この回路は従来の受動同調器の信号源側に,低損失サーキュレータ,低損失結合器および可変長伝送線路からなる受動ループを追加する。3種類の長さの伝送線路でSmith図の全域をカバーできる。ソースインピーダンス合成とロードインピーダンス合成用の受動ループ回路を示し,反射係数の測定結果を示した。また,MESFETのキャラクタリせーション例を示した。

シソーラス用語： 高周波増幅器 ,  *電力増幅器 ,  最適化 ,  キャラクタリゼーション ,  利得 ,  電力付加効率 ,  *回路特性 ,  インピーダンス整合 ,  整合器 ,  反射率 ,  MESFET ,  半導体素子 ,  電気回路
準シソーラス用語： マイクロ波増幅器 ,  *ロードプル ,  整合回路 ,  *ソースプル ,  電力デバイス ,  受動回路

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高反射係数 ,  ループ ,  強化 ,  技法 ,  ロードプル